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浪涌(沖擊)抗擾度測(cè)試及校準(zhǔn)方法探討?。ㄒ唬?/h1>
日期:2025-12-30 08:45
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摘要: 1 前言 為了真實(shí)模擬設(shè)備在實(shí)際運(yùn)行中可能遇到的雷擊或開(kāi)關(guān)切換瞬變?cè)斐傻碾妷夯螂娏骼擞?,評(píng)價(jià)電子電氣設(shè)備對(duì)雷擊浪涌的抗擾度水平,標(biāo)準(zhǔn)要求受試設(shè)備(EUT)要在規(guī)定的帶電(DC或AC供電電源)工作狀態(tài)下,用能產(chǎn)生1.2/50us開(kāi)路電壓波和8/20us短路電流波的組合波信號(hào)發(fā)生器進(jìn)行雷擊浪涌抗擾度試驗(yàn),以檢驗(yàn)被測(cè)設(shè)備在實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中的抗干擾能力。本文通過(guò)結(jié)合實(shí)驗(yàn)室的實(shí)際情況,介紹了雷擊浪涌測(cè)試設(shè)備的主要組成部分及其工作原理,并搭建雷擊浪涌的測(cè)試平臺(tái)并分析不同耦合方式之間的差異。 2 浪涌波形定義 ...

1 前言

為了真實(shí)模擬設(shè)備在實(shí)際運(yùn)行中可能遇到的雷擊或開(kāi)關(guān)切換瞬變?cè)斐傻碾妷夯螂娏骼擞?,評(píng)價(jià)電子電氣設(shè)備對(duì)雷擊浪涌的抗擾度水平,標(biāo)準(zhǔn)要求受試設(shè)備(EUT)要在規(guī)定的帶電(DC或AC供電電源)工作狀態(tài)下,用能產(chǎn)生1.2/50us開(kāi)路電壓波和8/20us短路電流波的組合波信號(hào)發(fā)生器進(jìn)行雷擊浪涌抗擾度試驗(yàn),以檢驗(yàn)被測(cè)設(shè)備在實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中的抗干擾能力。本文通過(guò)結(jié)合實(shí)驗(yàn)室的實(shí)際情況,介紹了雷擊浪涌測(cè)試設(shè)備的主要組成部分及其工作原理,并搭建雷擊浪涌的測(cè)試平臺(tái)并分析不同耦合方式之間的差異。


2 浪涌波形定義

GB 17626.5-2019給出了一種在實(shí)際測(cè)試工作中更具可操作性的波形和參數(shù)定義,如圖1、圖2所示。


圖1 未連接CDN的發(fā)生器輸出端的開(kāi)路電壓波形(1.2/50us)

其中Tw為持續(xù)時(shí)間,定義為電壓波形在上升沿和下降沿分別為50%峰值電壓之間經(jīng)過(guò)的時(shí)間,T為波前時(shí)間,定義為電壓波形上升沿在30%峰值電壓和90% 峰值電壓之間經(jīng)過(guò)的時(shí)間:

波前時(shí)間:Tf=1.67×T=1.2×(1±30%)μs,1.67為0.9和0.3閾值只差的倒數(shù)。

持續(xù)時(shí)間:Td=Tw=50×(1±20%)μs


圖2 未連接CDN的發(fā)生器輸出端的短路電流波形(8/20us)

短路電流的波形參數(shù)依然為波前時(shí)間和持續(xù)時(shí)間,定義和開(kāi)路電壓一致,不再贅述,標(biāo)準(zhǔn)定義:

波前時(shí)間: Tf=1.25×Tr=8×(1±20%)μs,1.25為0.9和0.1閾值只差的倒數(shù)。

持續(xù)時(shí)間: Td=1.18×Tw=20×(1±20%)μs,1.18為經(jīng)驗(yàn)值。

而對(duì)于(10/700)μs–(5/320)μs波形來(lái)說(shuō),由于此波形只用于直連到戶(hù)外通訊網(wǎng)絡(luò)的同步互聯(lián)線(xiàn)纜,適用范圍小。所以標(biāo)準(zhǔn)把此波形的定義放入附錄A中,如圖3、圖4所示.


圖3 開(kāi)路電壓波形(10/700us)

其中Tw為持續(xù)時(shí)間,定義為電流波形在上升沿和下降沿分別為50%峰值電流之間經(jīng)過(guò)的時(shí)間,T為波前時(shí)間,定義為電流波形上升沿在30%峰值電壓和90%峰值電流之間經(jīng)過(guò)的時(shí)間:波形峰值50%~50%經(jīng)過(guò)的時(shí)間,T為波前脈沖峰值30~90%經(jīng)過(guò)的時(shí)間。標(biāo)準(zhǔn)定義:

波前時(shí)間:Tf=1.67×T=10×(1±30%)μs

持續(xù)時(shí)間:Td=Tw=700×(1±20%)μs


圖4 短路電流波形(5/320us)

短路電流的波形參數(shù)依然為波前時(shí)間和持續(xù)時(shí)間,定義和開(kāi)路電壓一致,不再贅述,標(biāo)準(zhǔn)定義:

波前時(shí)間: Tf=1,25×Tr=5×(1±20%)μs

持續(xù)時(shí)間: Td=Tw=320×(1±20%)μs

3 浪涌(沖擊)測(cè)試系統(tǒng)

浪涌(沖擊)測(cè)試系統(tǒng)主要是由浪涌信號(hào)發(fā)生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。為了生成符合標(biāo)準(zhǔn)定義的雷擊浪涌信號(hào)波形,在標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17626.5-2019中對(duì)于組合波發(fā)生器的電路結(jié)構(gòu)和性能指標(biāo)進(jìn)行了規(guī)定。

3.1 浪涌信號(hào)發(fā)生器

在整個(gè)浪涌測(cè)試系統(tǒng)中,浪涌組合波發(fā)生器是*關(guān)鍵的部件,它的主要功能是負(fù)責(zé)產(chǎn)生浪涌波形。在標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17626.5-2019中有浪涌組合波發(fā)生器的電路結(jié)構(gòu),圖5為(1.2/50)μs-(8/20)μs波形發(fā)生器的電路原理圖:


圖5 組合波發(fā)生器的電路原理圖(1.2/50μs-8/20μs)

如圖5的(1.2/50)μs-(8/20)μs波形發(fā)生器的電路原理圖所示,浪涌發(fā)生器的電路是由兩個(gè)部分構(gòu)成,分別為充電回路和脈沖形成回路。充電回路的電路由高壓發(fā)生器 U、充電電阻Rc和儲(chǔ)能電容Cc組成,脈沖形成回路的電路由脈沖持續(xù)時(shí)間調(diào)節(jié)電阻RS1、RS2、阻抗匹配電阻Rm和調(diào)節(jié)上升時(shí)間形成的電感Lr組成。

工作原理為:當(dāng)開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài),此時(shí)電路會(huì)通過(guò)RC、CC充電回路對(duì)儲(chǔ)能電容Cc進(jìn)行充電。在儲(chǔ)能電容Cc 儲(chǔ)滿(mǎn)需要的電壓電量后,主電路開(kāi)關(guān)閉合并形成放電回路。在開(kāi)關(guān)閉合初始一段時(shí)間,儲(chǔ)能電容Cc向Rm、Lr和RS2進(jìn)行放電,此時(shí)在RS2兩端測(cè)得的雷擊浪涌電壓波形正處于波形的上升狀態(tài),在這段時(shí)間電感Lr在脈沖電路中也起到了儲(chǔ)能作用,隨著儲(chǔ)能電容Cc的電量慢慢減少,電感Lr和電容Cc同時(shí)對(duì)電阻RS1、Rm和RS2放電,此時(shí)RS2兩端測(cè)得的雷擊浪涌電壓波形由峰值開(kāi)始下降。電阻Rm則保證了整個(gè)發(fā)生器的內(nèi)阻為2Ω,*終即可得到所要求的(1.2/50)μs-(8/20)μs雷擊浪涌波形。

同樣,圖6為(10/700)μs-(5/320)μs波形發(fā)生器的電路原理圖:


圖6 組合波發(fā)生器的電路原理圖(10/700μs-5/320μs)

如圖6的(10/700)μs-(5/320)μs波形發(fā)生器的電路原理圖所示,浪涌發(fā)生器的電路同樣分為充電回路和脈沖形成回路。充電回路的電路由高壓發(fā)生器U、充電電阻Rc和儲(chǔ)能電容Cc構(gòu)成,脈沖形成回路的電路由脈沖持續(xù)時(shí)間調(diào)節(jié)電阻RS、Rm1、Rm2和調(diào)節(jié)上升時(shí)間的電容Cs組成,開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí),使用外部匹配阻抗。

充電回路的工作原理和(1.2/50)μs-(8/20)μs波形發(fā)生器的電路原理相同,脈沖形成回路的工作原理略有區(qū)別,由于(10/700)μs 波形的上升時(shí)間和持續(xù)時(shí)間大大長(zhǎng)于(1.2/50)μs波形,故使用了電容Cs用來(lái)代替電感Lr。同時(shí)內(nèi)置阻抗Rm1按照標(biāo)準(zhǔn)要求改為15Ω,內(nèi)置阻抗Rm2為25Ω,此時(shí)發(fā)生器內(nèi)阻為40Ω,需注意的是,當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)電阻Rm2被短路跳開(kāi),此時(shí)可以使用外部匹配電阻。*終即可得到所要求的(10/700)μs-(5/320)μs浪涌波形。

3.2 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)

雷擊浪涌耦合去耦網(wǎng)絡(luò)按照其工作原理可以分為耦合網(wǎng)絡(luò)部分和去耦網(wǎng)絡(luò)部分。耦合網(wǎng)絡(luò)的作用是將組合波發(fā)生器的浪涌信號(hào)傳送到被測(cè)設(shè)備上,限制從被測(cè)設(shè)備的電源線(xiàn)流入組合波發(fā)生器的電流對(duì)發(fā)生器本體造成破壞,減小對(duì)浪涌波形的影響。去耦網(wǎng)絡(luò)的作用是為浪涌信號(hào)提供足夠的去耦阻抗,避免浪涌信號(hào)竄入電網(wǎng)對(duì)由同一電源供電的非受試設(shè)備產(chǎn)生不利影響。此外,連接到同一電源的其他設(shè)備可能含有防雷器件,在不使用去耦網(wǎng)絡(luò)的情況下,非受試設(shè)備上防雷器件會(huì)阻止EUT上浪涌的施加及影響浪涌試驗(yàn)結(jié)果。

雷擊浪涌的耦合去耦網(wǎng)絡(luò)根據(jù)適用范圍可以分為:電源線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)和互聯(lián)線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò),其中電源線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)包含單相交流或直流耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、三相交流耦合/去耦網(wǎng)絡(luò);互聯(lián)線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)包含非屏蔽非對(duì)稱(chēng)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、非屏蔽對(duì)稱(chēng)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)。

一般浪涌信號(hào)耦合到EUT上的方式有電容耦合和氣體放電管耦合,其中后者對(duì)組合波發(fā)生器的輸出波形影響較明顯,故使用電容耦合較多。若選用小的耦合電容值,則電源側(cè)殘余浪涌電壓較低,但產(chǎn)生沖擊電流的效率較低;若選用大的耦合電容值,則耦合到EUT效率較高,但殘余電壓較高。為兼顧輸出效率和殘余電壓?jiǎn)栴},國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定線(xiàn)-線(xiàn)耦合(差模方式)采用18uF的電容,線(xiàn)-地耦合(共模方式) 采用9uF的電容。電源線(xiàn)耦合去耦網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)應(yīng)滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)中網(wǎng)絡(luò)端口的波形參數(shù)要求,其去耦網(wǎng)絡(luò)部分提供了一個(gè)相對(duì)雷擊浪涌波來(lái)說(shuō)較高的阻抗,同時(shí)這個(gè)阻抗又不能影響受試設(shè)備的正常供電。耦合網(wǎng)絡(luò)部分的耦合元器件使用高壓電容,它的作用和去耦網(wǎng)絡(luò)的剛好相反,需要使得雷擊浪涌波形能夠完整的通過(guò)。同樣的,信號(hào)線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)也應(yīng)滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)中網(wǎng)絡(luò)端口的波形參數(shù)要求,其耦合元件可以是電容、鉗位器或避雷器。

在進(jìn)行測(cè)試時(shí),應(yīng)根據(jù)不同的產(chǎn)品來(lái)選擇相對(duì)應(yīng)的耦合去耦網(wǎng)絡(luò),其選擇方法見(jiàn)圖7:


圖7 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇

在標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17626.5-2019中給出了耦合去耦網(wǎng)絡(luò) 的電路拓?fù)鋱D,圖8至圖11分別為單相/直流電源耦合去耦網(wǎng)絡(luò)線(xiàn)對(duì)線(xiàn)耦合、單相/直流電源耦合去耦網(wǎng)絡(luò)線(xiàn)對(duì)地耦合、三相電源耦合去耦網(wǎng)絡(luò)線(xiàn)對(duì)線(xiàn)耦合和三相電源耦合去耦網(wǎng)絡(luò)線(xiàn)對(duì)地耦合。


圖8 用于交/直流線(xiàn)上的線(xiàn)-線(xiàn)耦合


圖9 用于交/直流線(xiàn)上的線(xiàn)-地耦合


圖10 用于三相交流線(xiàn)上的線(xiàn)-線(xiàn)耦合


圖11 用于三相交流線(xiàn)上的線(xiàn)-地耦合

從以圖8至圖11中可以看到,不論是單相還是三相電源耦合/去耦網(wǎng)絡(luò),去耦網(wǎng)絡(luò)部分的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一致的。其結(jié)構(gòu)為線(xiàn)與線(xiàn)之間的去耦電容C和每根線(xiàn)上的去耦電感L組成的LC低通濾波器。

去耦電感L的選取不宜太大,否則既會(huì)使耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)上有較大的電壓壓降,又會(huì)造成電感體積龐大,給生產(chǎn)制造和安裝帶來(lái)不便。一般來(lái)說(shuō),為了達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的:“耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)上產(chǎn)生的壓降在額定電流情況下不超過(guò)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)輸入電壓的10%”。以被測(cè)品每相額定電流≤200A計(jì),L值應(yīng)≤1.5mH,當(dāng)額定電流>200A 時(shí),L值如圖12所示。


圖12 額定電流大于200A的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)中去耦線(xiàn)上的感抗值

對(duì)于耦合網(wǎng)絡(luò)來(lái)說(shuō),由于耦合方式所模擬的實(shí)際情況不同,其分為線(xiàn)-線(xiàn)和線(xiàn)-地兩種情況。由于低壓電網(wǎng)對(duì)地的源阻抗為12Ω,對(duì)于虛擬阻抗(定義為開(kāi)路電壓峰值與短路電流峰值之比)為2Ω的組合波發(fā)生器,在進(jìn)行線(xiàn)-地耦合時(shí),故需要另外再串聯(lián)10Ω的附加電阻,以增加有效源阻抗。

所有的電源線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)僅適用于(1.2/50)μs-(8/20)μs 雷擊浪涌波形。

圖 13至圖15分別為非屏蔽不對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、非屏蔽對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)和非屏蔽戶(hù)外對(duì)稱(chēng)通信線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)。


圖13 非屏蔽不對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)


圖14 非屏蔽對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)


圖15 非屏蔽戶(hù)外對(duì)稱(chēng)通信線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)

在GB/T 17626.5-2019中分為:

1)非屏蔽不對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)中(如圖13所示),R=40Ω,CD為0.5uF電容和氣體放電管;

2)使用(1.2/50)μs組合波發(fā)生器時(shí),非屏蔽對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)中(如圖14所示),Rc=n×40Ω,n為互連線(xiàn)導(dǎo)線(xiàn)根數(shù),CD可以是電容、氣體放電管、鉗位器、雪崩裝置或任何允許受試設(shè)備正常傳輸數(shù)據(jù),并同時(shí)滿(mǎn)足規(guī)定的浪涌波形參數(shù);

3)使用(10/700)μs組合波發(fā)生器時(shí),非屏蔽戶(hù)外對(duì)稱(chēng)通信線(xiàn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)中(如圖15所示),Rc=25Ω,CD 為0.5μF電容和氣體放電管。

4 浪涌測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)配置及試驗(yàn)過(guò)程要求

4.1 試驗(yàn)配置

在標(biāo)準(zhǔn)中,對(duì)于進(jìn)行浪涌的測(cè)試時(shí)所需要注意的事項(xiàng)、測(cè)試布置和測(cè)試 程序都有著明確要求,雷擊浪涌測(cè)試系統(tǒng)的試驗(yàn)配置主要包括以下設(shè)備:

ü 被測(cè)設(shè)備

ü 輔助設(shè)備(需要時(shí))

ü 電纜(規(guī)定的類(lèi)型和長(zhǎng)度)

ü 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)

ü 組合波發(fā)生器

ü 參考接地平面

圖16~圖18分別為電源端口、非屏蔽互連線(xiàn)端口及屏蔽互連線(xiàn)的浪涌試驗(yàn)配置圖。


圖16 電源端口浪涌試驗(yàn)配置圖


圖17非屏蔽互連線(xiàn)端口浪涌試驗(yàn)配置圖


圖18屏蔽互連線(xiàn)的浪涌試驗(yàn)配置圖

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