工業(yè)設備需在惡劣電磁環(huán)境中保持可靠運行。連接設備輸入/輸出的線纜易耦合各種干擾噪聲。以電機附近線纜為例，會耦合高壓高頻的電氣快速瞬變脈沖；雷擊引發(fā)的浪涌可通過電感耦合影響長距離線纜，或經電源實現間接耦合。

        操作或維護期間，連接器與裸露部件在人員接觸時可能引發(fā)靜電放電。工業(yè)設備必須具備承受此類干擾并維持正常工作的能力。實現良好電磁兼容性時，隔離系統(tǒng)與非隔離系統(tǒng)的設計范式存在本質差異。本文重點闡述如何通過隔離技術增強系統(tǒng)對ESD、EFT及浪涌的抗擾度，通過精細化設計可實現性能提升與系統(tǒng)成本優(yōu)化的雙重目標。

        隔離系統(tǒng)與非隔離系統(tǒng)在實現良好電磁兼容性（EMC）方面存在差異。本文將探討如何利用隔離技術提升系統(tǒng)對靜電放電（ESD）、電快速瞬變脈沖群（EFT）及浪涌的抗擾度。通過精心設計，不僅能提升系統(tǒng)性能，還可降低整體成本。

電磁兼容（EMC）測試中的電壓與電流：非隔離系統(tǒng)

        圖 1 展示了非隔離系統(tǒng)的框圖，并標注了由 ESD、EFT 或浪涌瞬變產生的電壓和電流。在非隔離系統(tǒng)中，所有電路（包括任何瞬態(tài)保護器件）均連接至保護接地（PE）。現代瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）因具有低電容特性，是高速數據傳輸場景的優(yōu)選保護元件——這一特性使其能夠設計到多節(jié)點網絡的每個節(jié)點中，且無需降低數據速率。

               圖1：非隔離系統(tǒng)中瞬態(tài)抗擾度測試期間的電壓與電流

         TVS二極管憑借皮秒級響應時間和數千瓦的功率容量，為ESD、群脈沖EFT及浪涌瞬變提供*有效的防護。該瞬態(tài)保護器件能將瞬變事件產生的大電流導至保護地（PE）。

        設計瞬態(tài)保護電路時，必須確保電源與I/O引腳上的鉗位電壓低于連接電路的*大額定耐壓值。例如，對于1kV浪涌瞬變能鉗位于50V的TVS二極管，可保護耐壓峰值達50V的收發(fā)器及I/O電路。若TVS鉗位電壓遠高于收發(fā)電路的**工作電壓，則需增加鎮(zhèn)流電阻等輔助元件來增強I/O電路保護。

        當收發(fā)器和I/O引腳遭遇瞬變事件時，瞬態(tài)保護器件會鉗位于特定電壓VC。這種鉗位效應將導致通信信道中的正常信號被瞬變脈沖能量淹沒，可能引發(fā)通信鏈路中的毛刺或錯誤脈沖。這些錯誤脈沖的寬度至少與瞬態(tài)噪聲脈沖相當（ESD和EFT為100納秒，浪涌為100微秒），并遵循測試重復模式周期性出現。

         為滿足標準A要求（施加噪聲瞬變期間設備性能不劣化），必須通過RC濾波器、主控制器數字濾波或差錯檢測重傳機制濾除這些錯誤脈沖。然而，這些方法就會降低通信吞吐量，增加系統(tǒng)成本，并給主控制器帶來額外運算負荷。

電磁兼容測試中的隔離系統(tǒng)電壓與電流特性分析

         圖2所示為隔離系統(tǒng)框圖，其中標注了因ESD、EFT或浪涌測試產生的電壓與電流路徑。本實例中，收發(fā)器及其他I/O端口通過數字隔離器與主控制器實現電氣隔離。主控制器以保護地（PE）為參考電位，系統(tǒng)接口側（熱側）及瞬態(tài)保護器件則以浮地（ISO GND）為參考基準。隔離式DC/DC轉換器為熱側提供工作電源。

               圖2：隔離系統(tǒng)中瞬態(tài)抗擾度測試期間的電壓與電流

       在ISO GND與PE之間存在寄生電容CISO，該電容由所有隔離元件（數字隔離器、光耦、變壓器）的隔離屏障電容與印制電路板引入的雜散電容共同構成。

       基于標準定義的電壓電流波形、發(fā)生器輸出阻抗及鉗位電路參數，可建立不同瞬態(tài)事件的電氣模型。圖2所示框圖可用于模擬瞬態(tài)事件對系統(tǒng)的影響特性。

隔離屏障兩端電壓

       當接口引腳遭遇瞬態(tài)事件時，瞬態(tài)保護器件會以較低壓降迅速導通，導致瞬態(tài)脈沖的全部開路電壓施加于隔離屏障兩端。例如，接口引腳受到8kV ESD沖擊時，隔離屏障（ISO GND與PE之間）將承受8kV電壓應力。

        通過在隔離屏障兩端增設安規(guī)認證電容（額外元件）提升CISO的有效容值，可降低隔離屏障承受的電壓應力。持續(xù)時間較短的ESD和EFT脈沖比浪涌更易被濾波抑制。

                           圖3：隔離屏障兩端電壓事件的仿真

         圖3a仿真結果表明：當CISO為100pF時，8kV ESD沖擊可被衰減至5kV以下；圖3b顯示當CISO為1nF時，4kV EFT脈沖可被衰減至2kV以下。

         目前市場上僅有少數信號隔離技術（包括德州儀器增強型隔離器）能直接承受8kV ESD和4kV EFT的屏障間沖擊。其他隔離方案需借助額外安規(guī)認證電容將屏障應力降至可接受水平。雖然增設安規(guī)電容*明顯的問題是系統(tǒng)成本上升，但如后續(xù)章節(jié)所述，此舉還會帶來其他技術弊端。

         浪涌脈沖的寬度更大，因此采用合理的寄生電容（CISO）值難以對其進行濾波。同時，大多數隔離屏障能夠承受工業(yè)系統(tǒng)所需的 1kV 至 2kV 浪涌等級，因此無需額外濾波。

瞬態(tài)保護器件導通電流

         針對圖2所示隔離系統(tǒng)，接口引腳瞬態(tài)測試的電流回路通過CISO形成閉環(huán)。通過精心設計較低的CISO值，可對瞬態(tài)事件呈現顯著阻抗，從而大幅削減流經瞬態(tài)保護器件的峰值電流。對于浪涌等慢速瞬變，該阻抗效應更為顯著。

         如圖4所示，當CISO = 10pF時，EFT測試中流經保護器件的峰值電流從非隔離系統(tǒng)的20A降至隔離系統(tǒng)的1.8A，衰減幅度達10倍。電流持續(xù)時間也從100ns縮短至不足10ns，縮減超10倍。圖5數據表明，浪涌事件中峰值電流降幅超40倍，電流持續(xù)時間縮減至1/100。

                圖4：1kV電快速瞬變脈沖群（EFT）測試期間保護器件中的電流仿真

         幅值與脈寬的雙重降低，顯著減輕了外部TVS保護器件的峰值電流與峰值功率要求，使其可實現更小體積與更低成本。浪涌事件的峰值功率從數千瓦降至數十毫瓦，這種優(yōu)化**實用價值。若CISO足夠小，且收發(fā)器內置片上瞬態(tài)保護設計合理，可完全省去外部瞬態(tài)保護電路。

滿足電快速瞬變脈沖群（EFT）和浪涌的A 判據

         如前所述，在非隔離系統(tǒng)中，接口引腳上的信號會在整個瞬態(tài)事件期間被  干擾完全覆蓋：電快速快速瞬變脈沖群（EFT）事件中該過程約持續(xù) 100ns，浪涌事件中則約持續(xù) 100μs。此時必須對通信鏈路中產生的錯誤脈沖進行濾波處理，這會導致額外成本增加、傳輸延遲增大及數據吞吐量下降。

        在隔離系統(tǒng)中，由于流過瞬態(tài)保護器件的電流持續(xù)時間大幅縮短，產生的錯誤脈沖寬度更窄。如圖 6 所示，對于共模阻抗為 25Ω的收發(fā)器或 I/O 接口，EFT事件引發(fā)的共模電壓偏移僅持續(xù) 6ns，浪涌事件引發(fā)的共模電壓偏移僅持續(xù) 2μs。這類窄錯誤脈沖更易于濾波，且對吞吐量的影響極小。同時，電壓偏移被限制在幾伏范圍內，這使得收發(fā)器甚至無需任何濾波措施即可正常工作。

         因此，隔離技術可使系統(tǒng)在滿足電磁兼容（EMC）抗擾度 A 判據的同時，無需犧牲吞吐量或增加延遲。

                          圖5：1kV浪涌測試期間保護器件的通流仿真

                    圖6：共模阻抗為25Ω的I/O 接口上產生的電壓仿真

           表 1 總結了通過隔離技術實現的峰值電流降低及峰值持續(xù)時間縮短，這能夠減少甚至消除對瞬態(tài)保護的需求。例如，在浪涌事件中，峰值功率可從 1.2kW 降至 10mW。瞬態(tài)事件中  共模偏移的減小，也使系統(tǒng)更易滿足 A 判據要求。

表1：通過隔離技術實現的峰值電流降低及電流脈沖持續(xù)時間縮短

總結

        隔離系統(tǒng)與非隔離系統(tǒng)在實現良好電磁兼容（EMC）性能方面的考量存在差異。靜電放電（ESD）、電快速瞬變脈沖群（EFT）和浪涌測試中施加的開路電壓，可能以電壓應力的形式作用于隔離屏障兩端。因此，系統(tǒng)中使用的隔離器必須能夠承受這些高壓快速瞬變的沖擊。

         在隔離系統(tǒng)中，接口引腳上瞬態(tài)事件產生的電流環(huán)路通過隔離屏障的總電容形成閉合回路。通過精心設計，將隔離屏障電容值控制在較低水平，可為瞬態(tài)事件提供顯著阻抗，從而大幅降低流過瞬態(tài)保護器件的峰值電流——這不僅可省去對大功率瞬態(tài)保護器件的需求，還能降低系統(tǒng)成本。此外，隔離技術還能將保護器件對 I/O 引腳的鉗位時間縮短一個數量級，這會減小電磁兼容測試期間通信鏈路中錯誤脈沖的寬度，使系統(tǒng)相比非隔離系統(tǒng)更易滿足 A 判據要求。